(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂Bi1/2Na1/2TiO3无铅压电陶瓷结构及其性能研究
来源期刊：功能材料2014年第15期
论文作者：程仁飞 徐志军 初瑞清 郝继功 杜鹃 姬万滨 李国荣
文章页码：15080 - 30171
关键词：无铅压电陶瓷;钛酸铋钠;(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂;
摘 要：采用传统陶瓷制备工艺制备出了Bi1/2Na1/2Ti1-x（Mo1/2Sr1/2）xO3（简称BNT-MS-100x）系无铅压电陶瓷材料,研究了（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂量对BNT基陶瓷材料显微结构和电学性能的影响。研究结果表明,（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂并未影响BNT陶瓷的晶体结构,仍为纯钙钛矿型结构,而且致密性良好。随着（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂量增加,居里温度升高,剩余极化强度先增大后减小。当x=0.004时,BNT-MS-100x陶瓷的压电系数最大,d33=104pC/N,介电损耗最小,tanδ=4.11%。
程仁飞1，徐志军1，初瑞清1，郝继功1，杜鹃1，姬万滨1，李国荣2
1. 聊城大学材料科学与工程学院2. 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘 要：采用传统陶瓷制备工艺制备出了Bi1/2Na1/2Ti1-x（Mo1/2Sr1/2）xO3（简称BNT-MS-100x）系无铅压电陶瓷材料,研究了（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂量对BNT基陶瓷材料显微结构和电学性能的影响。研究结果表明,（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂并未影响BNT陶瓷的晶体结构,仍为纯钙钛矿型结构,而且致密性良好。随着（Mo1/2Sr1/2）4+掺杂量增加,居里温度升高,剩余极化强度先增大后减小。当x=0.004时,BNT-MS-100x陶瓷的压电系数最大,d33=104pC/N,介电损耗最小,tanδ=4.11%。
关键词：无铅压电陶瓷;钛酸铋钠;(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂;
