光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质
来源期刊：金属学报2011年第9期
论文作者：张胜寒 檀玉 梁可心
文章页码：1147 - 1152
关键词：光电化学响应;镍基合金;氧化膜;半导体性质;高温水;
摘 要：采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr2O3和FexNi1-xCr2O4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变.
张胜寒，檀玉，梁可心
华北电力大学环境科学与工程学院
摘 要：采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr2O3和FexNi1-xCr2O4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变.
关键词：光电化学响应;镍基合金;氧化膜;半导体性质;高温水;
