NO和N2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响
来源期刊：无机材料学报2005年第4期
论文作者：朱丽萍 徐伟中 周婷 赵炳辉 叶志镇
关键词：p型ZnO; 导电性能; MOCVD;
摘 要：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm,同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.
朱丽萍1，徐伟中1，周婷1，赵炳辉1，叶志镇1
(1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm,同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.
关键词:p型ZnO; 导电性能; MOCVD;
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