PDMS氧等离子体长效活性表面处理及与Si的键合
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期
论文作者：刘永顺 吴一辉 张平 薛向尧 黎海文
关键词：氧等离子体; 聚二甲基硅氧烷(PDMS); 键合; XPS;
摘 要：为了实现室温、常压下聚二甲基硅氧烷(PDMS)与硅的键合,本文利用氧等离子体分别对PDMS、硅进行表面改性处理.考察了等离子体射频电源功率、处理时间、氧气流量对PDMS-硅键合强度的影响.通过优化工艺适当降低PDMS表面被氧化的程度,可使PDMS活性表面的持续时间延长至45分钟,实现了PDMS-硅在室温常压下的永久性键合.通过X-射线光电子能谱(XPS)对改性后PDMS表面化学组分变化的分析,可推断出PDMS表面Si-OH的稳定性是影响键合强度的主要因素.
刘永顺1，吴一辉1，张平1，薛向尧1，黎海文1
(1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春,130033;
2.中国科学院,研究生院,北京,100039)
摘要:为了实现室温、常压下聚二甲基硅氧烷(PDMS)与硅的键合,本文利用氧等离子体分别对PDMS、硅进行表面改性处理.考察了等离子体射频电源功率、处理时间、氧气流量对PDMS-硅键合强度的影响.通过优化工艺适当降低PDMS表面被氧化的程度,可使PDMS活性表面的持续时间延长至45分钟,实现了PDMS-硅在室温常压下的永久性键合.通过X-射线光电子能谱(XPS)对改性后PDMS表面化学组分变化的分析,可推断出PDMS表面Si-OH的稳定性是影响键合强度的主要因素.
关键词:氧等离子体; 聚二甲基硅氧烷(PDMS); 键合; XPS;
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