α-Si3N4陶瓷的液相烧结及其介电性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：陈斐 张联盟 陈常连 沈强 李君
关键词：放电等离子烧结(SPS); 液相烧结(LPS); α-氮化硅; 烧结助剂; 介电性能;
摘 要：以MgO、Al2O3和SiO2作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备密度可控的α-Si3N4陶瓷材料.讨论了SPS方法制备α-Si3N4陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,以及烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料密度的关系.结果表明:当烧结温度为1400～1500 ℃,烧结助剂添加量为9%～28.5%(质量分数,下同)时,可以制备出密度可控,且密度变化范围为2.48～3.09 g/cm3的α-Si3N4陶瓷材料,试样的主相为α-Si3N4,烧结机理为SPS低温液相烧结,材料在频率为1 MHz时的介电常数为5～7.5,与密度关系密切.
陈斐1，张联盟1，陈常连1，沈强1，李君1
(1.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070)
摘要:以MgO、Al2O3和SiO2作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备密度可控的α-Si3N4陶瓷材料.讨论了SPS方法制备α-Si3N4陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,以及烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料密度的关系.结果表明:当烧结温度为1400～1500 ℃,烧结助剂添加量为9%～28.5%(质量分数,下同)时,可以制备出密度可控,且密度变化范围为2.48～3.09 g/cm3的α-Si3N4陶瓷材料,试样的主相为α-Si3N4,烧结机理为SPS低温液相烧结,材料在频率为1 MHz时的介电常数为5～7.5,与密度关系密切.
关键词:放电等离子烧结(SPS); 液相烧结(LPS); α-氮化硅; 烧结助剂; 介电性能;
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