CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究
来源期刊：材料科学与工程学报2004年第5期
论文作者：张玉娣 张长瑞
关键词：化学气相渗透; 先驱体浸渍裂解; C/SiC复合材料; 显微结构;
摘 要：采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.
张玉娣1，张长瑞1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073)
摘要:采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.
关键词:化学气相渗透; 先驱体浸渍裂解; C/SiC复合材料; 显微结构;
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