基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

马春红^1,2，马瑞新¹，李士娜¹，扈百直³，钟景明^3,2，朱鸿民¹

1. 北京科技大学2. 西北稀有金属材料研究院3. 国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心

摘 要：采用磁控溅射法以铌（Nb）掺杂氧化铟锡（ITO）为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。

关键词：掺铌ITO;透明导电薄膜;基片温度;性能;