稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件

来源期刊：材料科学与工程学报2009年第1期

论文作者：孙甲明 张俊杰 杨阳 张新霞 刘海旭

文章页码：121 - 124

关键词：半导体光电子;电致发光;MOS器件;稀土离子;二氧化硅;

摘    要：本文介绍了在稀土离子Re（Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd）注入的SiO2金属-氧化物-硅（MOS）结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外（1.54μm）、可见光（618 nm5、43 nm、440 nm）至紫外（316 nm）光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化III-V族半导体发光二极管的水平。