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基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型

来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期

论文作者：韩郑生李瑞贞

关键词：SOI MOSFET; 物理模型; 参数提取; SOI MOSFET; physical model; parameters extraction;

摘要：提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.

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韩郑生¹，李瑞贞¹

(1.中国科学院微电子研究所,北京,100029)

摘要:提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型,SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数.用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性.

关键词:SOI MOSFET; 物理模型; 参数提取; SOI MOSFET; physical model; parameters extraction;

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