光加热悬浮区熔法制备(Mo0.85Nb0.15)Si2单相单晶体
来源期刊：机械工程材料2010年第1期
论文作者：姜艳 朱鸥 张澜庭 郁金星 吴建生
文章页码：38 - 84
关键词：悬浮区熔;单相;单晶体;(Mo0.85Nb0.15)Si2;光加热;
摘 要：采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,其尺寸可达8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论。
姜艳，朱鸥，张澜庭，郁金星，吴建生
上海交通大学材料科学与工程学院
摘 要：采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,其尺寸可达8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论。
关键词：悬浮区熔;单相;单晶体;(Mo0.85Nb0.15)Si2;光加热;
