三明治结构聚酰亚胺/SiO2纳米复合薄膜电学性能研究
来源期刊：绝缘材料2017年第3期
论文作者：王志强 殷景华 夏旭 姚磊 李佳龙
文章页码：23 - 58
关键词：聚酰亚胺;纳米Si O2;三明治结构;耐电晕;介电性能;
摘 要：采用原位聚合法制备了三明治结构的Si O2纳米掺杂聚酰亚胺（PI）复合薄膜Si O2-PI/PI/Si O2-PI。利用透射电镜（TEM）、X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）表征Si O2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能。结果表明:Si O2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当Si O2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/Si O2复合薄膜的26倍和2倍;当Si O2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值（280.6 k V/mm）。
王志强1，殷景华1,2，夏旭1，姚磊1，李佳龙1
1. 哈尔滨理工大学应用科学学院2. 哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室
摘 要：采用原位聚合法制备了三明治结构的Si O2纳米掺杂聚酰亚胺（PI）复合薄膜Si O2-PI/PI/Si O2-PI。利用透射电镜（TEM）、X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）表征Si O2纳米颗粒的分散状态及三层复合薄膜的断面结构,研究三层结构复合薄膜的介电性能、电导率、耐电晕性能和电气强度等电学性能。结果表明:Si O2纳米颗粒可均匀地分散于聚酰亚胺基体中,三层复合薄膜具有清晰的界面分层;当Si O2纳米颗粒掺杂量为20%时,三层复合薄膜的耐电晕老化时间最长,分别为纯PI和单层PI/Si O2复合薄膜的26倍和2倍;当Si O2纳米颗粒掺杂量为15%时,三层复合薄膜的电气强度达到最大值（280.6 k V/mm）。
关键词：聚酰亚胺;纳米Si O2;三明治结构;耐电晕;介电性能;
