压力对CoSb2.750TexGe0.250-x n型方钴矿化合物的电输运性能的影响
来源期刊：功能材料2010年第9期
论文作者：姜一平 贾晓鹏 马红安 邓乐 郑世钊
文章页码：1658 - 3322
关键词：方钴矿;高温高压;热电材料;
摘 要：采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x（x=0.125,0.175,0.200）n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率（ρ）,Seebeck系数（S）进行了测试分析。电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750 TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低。功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高。CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/（cm.K2）。
姜一平1,2，贾晓鹏1，马红安1，邓乐1，郑世钊1
1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室2. 北华大学物理学院
摘 要：采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x（x=0.125,0.175,0.200）n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率（ρ）,Seebeck系数（S）进行了测试分析。电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750 TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低。功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高。CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/（cm.K2）。
关键词：方钴矿;高温高压;热电材料;
