低电压驱动微流控芯片二氧化硅绝缘薄膜的研究

来源期刊：功能材料2012年第9期

论文作者：吕宏峰 闫卫平 李杰超

文章页码：1204 - 2417

关键词：二氧化硅;绝缘薄膜;低电压驱动;微流控芯片;

摘    要：采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜（AFM）、台阶仪、X射线衍射仪（XRD）,分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属（MIM）结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力>200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。