高迁移率的钛掺杂氧化铟薄膜在晶硅/非晶硅异质结电池上的应用研究（英文）

黄金¹，鲍少娟¹，鲁林峰²，杨骥¹，白焱辉¹，张娟¹，高勇¹，王继磊¹

1. 晋能清洁能源科技股份公司异质结太阳能电池项目研发部2. 中科院上海高等研究院薄膜光电中心

摘 要：采用钛掺杂氧化铟旋转靶制备透明导电薄膜应用在晶硅/非晶硅异质结电池上。在不同氧含量下,研究钛掺杂氧化铟薄膜（T100薄膜）的光电性能,同时对比分析ITO薄膜。在电镜下T100薄膜呈现出柱状结构,并且展示出优异的光学性能。T100薄膜最大载流子迁移率可以达到75.6 cm²·（V·s）^-1。相比于ITO薄膜,T100薄膜具有优异的电学传导和透光率,因此在异质结电池量产线上电池转换效率可以实现0.26%的提升。

关键词：钛掺杂氧化铟;透明导电薄膜;异质结电池;