微波快速合成碲掺杂方钴矿及其性能研究
来源期刊：金属功能材料2019年第1期
论文作者：高文圣 雷鹰 李雨 万润东 马雷强 郑睿
文章页码：16 - 21
关键词：方钴矿;微波合成;Te掺杂;热电性能;
摘 要：采用微波快速合成结合放电等离子（SPS）烧结技术,制备了不同Te掺杂量的Co3Sb3-xTex（x=0、0.4、0.5）样品。并对其进行物相组成、微观结构、电性能、热性能等表征分析。XRD图谱表明微波辐射时间4～5min可以合成高纯度的CoSb3化合物;通过SEM进行微观结构分析表明,采用微波快速合成能够得到晶粒尺寸1～10μm,结构致密,晶粒均匀的样品;电性能分析表明,Te的掺杂极大地降低了材料的电阻率,其中Co3Sb2.5Te0.5室温时电阻率为4.98μΩ·m,在423～673K测试范围内功率因子1400～1800μW·m-1·K-2;热性能分析表明Te掺杂极大地降低了材料热导率,其热导率为4.4～5.2W·m-1·K-1,晶格热导率仅为2.3～4.2W·m-1·K-1,说明其具有良好的热性能。热电优值ZT在测室温度范围（283～773K）内随温度升高显著增大,最大值达到0.29。
高文圣1，雷鹰1，李雨1，万润东2，马雷强1，郑睿1
1. 安徽工业大学冶金工程学院2. 昆明理工大学材料科学与工程学院
摘 要：采用微波快速合成结合放电等离子（SPS）烧结技术,制备了不同Te掺杂量的Co3Sb3-xTex（x=0、0.4、0.5）样品。并对其进行物相组成、微观结构、电性能、热性能等表征分析。XRD图谱表明微波辐射时间4～5min可以合成高纯度的CoSb3化合物;通过SEM进行微观结构分析表明,采用微波快速合成能够得到晶粒尺寸1～10μm,结构致密,晶粒均匀的样品;电性能分析表明,Te的掺杂极大地降低了材料的电阻率,其中Co3Sb2.5Te0.5室温时电阻率为4.98μΩ·m,在423～673K测试范围内功率因子1400～1800μW·m-1·K-2;热性能分析表明Te掺杂极大地降低了材料热导率,其热导率为4.4～5.2W·m-1·K-1,晶格热导率仅为2.3～4.2W·m-1·K-1,说明其具有良好的热性能。热电优值ZT在测室温度范围（283～773K）内随温度升高显著增大,最大值达到0.29。
关键词：方钴矿;微波合成;Te掺杂;热电性能;
