沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

林明通¹，楼均辉¹，陈国荣¹，肖田²，杨云霞¹，陈晨曦²

(1.上海广电电子股份有限公司,上海,200081;
2.华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237)

摘要:采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差.

关键词:Ba0.5Sr0.5TiO3; 薄膜; 介电性能; 沉积温度; 退火处理;

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