感应耦合等离子刻蚀InP工艺
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第3期
论文作者：张靖 江山 张瑞康 陈磊
关键词：干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀端面;
摘 要：采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.
张靖1，江山1，张瑞康1，陈磊1
(1.武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430074)
摘要:采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.
关键词:干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀端面;
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