石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
来源期刊：功能材料2016年第4期
论文作者：杨博 陈诺夫 孔凡迪 牟潇野 陶泉丽 白一鸣
文章页码：4070 - 4073
关键词：石墨;籽晶层;择优取向;退火;
摘 要：以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。
杨博1，陈诺夫1，孔凡迪1，牟潇野1，陶泉丽1，白一鸣1
1. 华北电力大学新能源电力国家重点实验室
摘 要：以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。
关键词：石墨;籽晶层;择优取向;退火;
