浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第5期
论文作者：刘张李 邹世昌 张正选 毕大炜 胡志远 俞文杰 陈明 王茹
文章页码：407 - 412
关键词：控制电路;存储单元;单粒子效应;电荷损失;
摘 要：综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。
刘张李1,2，邹世昌1，张正选1，毕大炜1,2，胡志远1,2，俞文杰1,2，陈明1,2，王茹1,2
1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所/信息功能材料国家重点实验室2. 中国科学院研究生院
摘 要：综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论。指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制。最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力。
关键词：控制电路;存储单元;单粒子效应;电荷损失;
