拓扑绝缘体Bi2Se3单晶体的研究进展
来源期刊：材料导报2013年第11期
论文作者：吕莉 张敏 杨立芹 羊新胜 赵勇
文章页码：7 - 12
关键词：拓扑绝缘体;晶体生长;Bi2Se3;
摘 要：拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。
吕莉，张敏，杨立芹，羊新胜，赵勇
西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室
摘 要：拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。
关键词：拓扑绝缘体;晶体生长;Bi2Se3;
