采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较

周海飞¹，龚谦¹，王凯¹，康传振²，严进一¹，王庶民^1,3

1. 中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室2. 曲阜师范大学物理工程学院3. 查尔姆斯理工大学微米技术和纳米科学系

摘 要：我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。

关键词：分子束外延;InGaP;InAlP;张应变Ge;