含氟有机场效应晶体管材料的研究进展
来源期刊：材料导报2009年第5期
论文作者：张清 刘辉
关键词：场效应晶体管; n型有机半导体材料; 氟; 稳定性; 迁移率;
摘 要：在空气中稳定的n型有机半导体材料是当前有机场效应晶体管(OFET)研究的重要方向.分子中引入氟取代基和三氟甲基/全氟烷基可能会将有机半导体材料从p型转变成n型,同时还可提高有机半导体材料的稳定性.从分子结构的角度出发介绍了含氟类有机半导体材料的最新进展及其在场效应晶体管中的应用,并进一步提出了该领域的研究前景.
张清1，刘辉1
(1.上海交通大学化学化工学院,上海,200240)
摘要:在空气中稳定的n型有机半导体材料是当前有机场效应晶体管(OFET)研究的重要方向.分子中引入氟取代基和三氟甲基/全氟烷基可能会将有机半导体材料从p型转变成n型,同时还可提高有机半导体材料的稳定性.从分子结构的角度出发介绍了含氟类有机半导体材料的最新进展及其在场效应晶体管中的应用,并进一步提出了该领域的研究前景.
关键词:场效应晶体管; n型有机半导体材料; 氟; 稳定性; 迁移率;
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