掺杂YAG闪烁晶体研究进展

牛雪姣^1,2，徐家跃^1,2

1. 上海应用技术学院材料科学与工程学院2. 上海应用技术学院晶体生长研究所

摘 要：总结了不同离子掺杂YAG晶体的生长、闪烁特性和Ce∶YAG晶体的发光机理。Yb∶YAG晶体具有非常短的衰减时间(0.98ns),但光产额只有约1190phot/MeV。Ce∶YAG晶体的衰减时间为88ns,光产额可达26000phot/MeV,它具有优良的综合性能,已应用于闪烁探测器和大规模集成电路检测。Gd或Gd/Ga等稀土离子与Ce共掺可进一步提高YAG晶体的闪烁性能,最高光产额达44000phot/MeV,衰减时间为56.9ns。

关键词：YAG晶体;掺杂;闪烁性能;发光机理;