氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第1期
论文作者：陈猛 王曦 刘相华 陈静 易万兵 王湘
关键词：注氧隔离; 氢、氧复合注入; 埋层增宽;
摘 要：实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化.研究表明, 氢离子的注入有利于注氧隔离制备的 SOI材料埋层的增宽.进一步的结果表明,室温氢离子注入 导致的增宽效应比高温注入明显.
陈猛1，王曦1，刘相华1，陈静1，易万兵1，王湘1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050)
摘要:实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化.研究表明, 氢离子的注入有利于注氧隔离制备的 SOI材料埋层的增宽.进一步的结果表明,室温氢离子注入 导致的增宽效应比高温注入明显.
关键词:注氧隔离; 氢、氧复合注入; 埋层增宽;
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