气态源分子束外延生长GexSi1-x/Si异质结合金
来源期刊：稀有金属1998年第1期
论文作者：孙殿照 刘学锋 李建平
关键词：GexSi1-x异质结; 气态源分子束外延; 共度生长; 晶格匹配;
摘 要：采用气态源分子束外延法成功地生长了GexSi1-x/Si异质结合金材料, 所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷. 高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态. 在一定的生长温度下, GexSi1-x合金组分x取决于锗烷和乙硅烷的流量比. 外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关. 结果表明, 较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长.
孙殿照1，刘学锋1，李建平1
(1.中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083)
摘要:采用气态源分子束外延法成功地生长了GexSi1-x/Si异质结合金材料, 所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷. 高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态. 在一定的生长温度下, GexSi1-x合金组分x取决于锗烷和乙硅烷的流量比. 外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关. 结果表明, 较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长.
关键词:GexSi1-x异质结; 气态源分子束外延; 共度生长; 晶格匹配;
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