CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响
来源期刊:无机材料学报2008年第1期
论文作者:刘洪涛 闵嘉华 桑文斌 袁铮 钱永彪 滕建勇
关键词:核探测器; CdZnTe; In掺杂; 电学性能;
摘 要:通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
刘洪涛1,闵嘉华1,桑文斌1,袁铮1,钱永彪1,滕建勇1
(1.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072)
摘要:通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
关键词:核探测器; CdZnTe; In掺杂; 电学性能;
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