Si/SiGe异质结双极晶体管的研制
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第2期
论文作者：杨谟华 谢孟贤 刘道广 杨沛锋 张静 何林 李开成 李竞春
关键词：锗硅材料; 分子束外延; 异质结双极晶体管; 优化设计; SiGe; MBE; HBT; optimization;
摘 要：通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
杨谟华1，谢孟贤1，刘道广2，杨沛锋1，张静2，何林2，李开成2，李竞春1
(1.电子科技大学微电子科学与工程系,成都610054;
2.模拟集成电路国家重点试验室,重庆400060)
摘要:通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.
关键词:锗硅材料; 分子束外延; 异质结双极晶体管; 优化设计; SiGe; MBE; HBT; optimization;
【全文内容正在添加中】
