C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析
来源期刊：功能材料2008年第1期
论文作者：徐小丽 马书懿 魏晋军 张汉谋 陈彦 孙小菁 张国恒
关键词：磁控溅射; 纳米碳粒; 电致发光; 位形坐标;
摘 要：采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.
徐小丽1，马书懿1，魏晋军1，张汉谋1，陈彦2，孙小菁1，张国恒1
(1.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;
2.西北民族大学,电气工程学院,甘肃,兰州,730030)
摘要:采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.
关键词:磁控溅射; 纳米碳粒; 电致发光; 位形坐标;
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