腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响

来源期刊：机械工程材料2011年第9期

论文作者：解希玲 谭毅 李佳艳 董伟 刘艳娇 邹清川

文章页码：58 - 144

关键词：多孔硅;多晶硅;化学腐蚀;电阻率;少子寿命;

摘    要：采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层,通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明:随着腐蚀时间的延长,形成的多孔硅层呈现不同的形貌,多孔壁孔径逐渐变大,少子寿命延长且电阻率增大;腐蚀14 min后,多孔硅层局部区域坍塌,孔壁变薄;腐蚀11 min时,经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值,分别为0.98μs和0.16Ω·cm。