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ZnTe薄膜特性研究

来源期刊：材料科学与工艺2004年第5期

论文作者：蔡伟冯良桓蔡亚平郑家贵张静全蔡道林

关键词：ZnTe:Cu薄膜; 共蒸发法; 反常电导温度关系;

摘要：用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜.用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相.室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙.重掺Cu的薄膜具有反常电导温度关系.

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蔡伟¹，冯良桓¹，蔡亚平¹，郑家贵¹，张静全¹，蔡道林¹

(1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064)

摘要:用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜.用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相.室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙.重掺Cu的薄膜具有反常电导温度关系.

关键词:ZnTe:Cu薄膜; 共蒸发法; 反常电导温度关系;

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