两种势下的Si(100)表面重构及二聚体形成过程的分子动力学模拟
来源期刊：功能材料2006年第10期
论文作者：陈立桥 杨宇
关键词：硅; 分子动力学模拟; 表面重构; 二聚体;
摘 要：分别采用Tersoff势与S-W势对不同温度下Si(100)面重构情况进行分子动力学模拟,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围,进而采用S-W势对几种典型情况进行模拟研究.结果发现,二聚体形成前后的温度、内能会出现明显变化,高温时重构速度快但效果较差且不稳定,会形成吸附单体.原子间距为0.33nm左右是二聚体形成的关键距离.
陈立桥1，杨宇1
(1.云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091)
摘要:分别采用Tersoff势与S-W势对不同温度下Si(100)面重构情况进行分子动力学模拟,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围,进而采用S-W势对几种典型情况进行模拟研究.结果发现,二聚体形成前后的温度、内能会出现明显变化,高温时重构速度快但效果较差且不稳定,会形成吸附单体.原子间距为0.33nm左右是二聚体形成的关键距离.
关键词:硅; 分子动力学模拟; 表面重构; 二聚体;
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