SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO₃压电薄膜的制备

王新昌^1,2，田四方¹，贾建峰¹，王前进¹

1. 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室2. 浙江大学硅材料国家重点实验室

摘 要：采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。

关键词：LiNbO3压电薄膜;金刚石/硅基底;脉冲激光沉积;