PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

来源期刊：材料导报2011年第S1期

论文作者：王祖强 王丹名 林伟 吕祖彬 张宇 金永珉

文章页码：332 - 335

关键词：氢化非晶硅;氢含量;衬底温度;工艺压强;稀释比;FTIR;

摘    要：采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备a-Si:H薄膜,用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的红外光谱吸收峰。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对a-Si:H薄膜中氢含量的影响。结果表明,随着衬底温度升高,氢含量显著减小;压强增大时,氢含量也增大;氢气稀释比增大,氢含量反而减小。选择适当的工艺参数,可以控制a-Si:H薄膜的氢含量,从而改善a-Si:H薄膜性能和微结构。研究结果对低温多晶硅制造工艺也有一定的指导意义。