Cu2O薄膜的制备与表征
来源期刊：功能材料2013年第14期
论文作者：宁婕妤 李云白 刘邦武 夏洋 李超波
文章页码：2056 - 4122
关键词：Cu2O;薄膜;阴极电沉积;表征;
摘 要：以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜。讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征。结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7～5.9,沉积电位为1.1～1.3V。此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响。
宁婕妤1,2，李云白1，刘邦武2，夏洋2，李超波2
1. 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室2. 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
摘 要：以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜。讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征。结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7～5.9,沉积电位为1.1～1.3V。此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响。
关键词：Cu2O;薄膜;阴极电沉积;表征;
