非磁性半导体磁阻效应物理模型研究
来源期刊：材料导报2017年第17期
论文作者：何雄 孙志刚
文章页码：6 - 11
关键词：非磁性半导体;磁阻效应;物理模型;雪崩电离;巨磁阻;
摘 要：非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。
何雄，孙志刚
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
摘 要：非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、载流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。
关键词：非磁性半导体;磁阻效应;物理模型;雪崩电离;巨磁阻;
