简介概要

HfO2基阻变存储器的电极效应(英文)

来源期刊:稀有金属材料与工程2015年第11期

论文作者:谭婷婷 郭婷婷 李小晶 陈曦 冯丽萍 刘正堂

文章页码:2642 - 2645

关键词:HfO2薄膜;电阻转变机制;金属细丝;氧空位;

摘    要:研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。

详情信息展示

HfO2基阻变存储器的电极效应(英文)

谭婷婷,郭婷婷,李小晶,陈曦,冯丽萍,刘正堂

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

摘 要:研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。

关键词:HfO2薄膜;电阻转变机制;金属细丝;氧空位;

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号