HfO2基阻变存储器的电极效应(英文)
来源期刊:稀有金属材料与工程2015年第11期
论文作者:谭婷婷 郭婷婷 李小晶 陈曦 冯丽萍 刘正堂
文章页码:2642 - 2645
关键词:HfO2薄膜;电阻转变机制;金属细丝;氧空位;
摘 要:研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。
谭婷婷,郭婷婷,李小晶,陈曦,冯丽萍,刘正堂
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
摘 要:研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。
关键词:HfO2薄膜;电阻转变机制;金属细丝;氧空位;