基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器
来源期刊：材料科学与工程学报2015年第6期
论文作者：王炳琴 张阳军 郑学军
文章页码：853 - 1734
关键词：ZnO;纳米线阵列;真空压强传感器;氧吸附与解吸附;
摘 要：首先用化学气相沉积法制备了ZnO纳米线阵列,然后在此基础上制作了真空压强传感器。测试了基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器敏感特性,并与基于ZnO纳米带膜的传感器敏感特性做了比较,发现前者比后者敏感特性更好,相比传统的真空传感器,具有测量范围宽、灵敏度高和功耗低等优点。这主要是由于ZnO纳米线阵列具有较大的比表面积及氧吸附与解吸附等原因引起。
王炳琴1，张阳军1,2，郑学军2
1. 乐山职业技术学院机电工程系2. 湘潭大学机械工程学院
摘 要：首先用化学气相沉积法制备了ZnO纳米线阵列,然后在此基础上制作了真空压强传感器。测试了基于ZnO纳米线阵列的真空压强传感器敏感特性,并与基于ZnO纳米带膜的传感器敏感特性做了比较,发现前者比后者敏感特性更好,相比传统的真空传感器,具有测量范围宽、灵敏度高和功耗低等优点。这主要是由于ZnO纳米线阵列具有较大的比表面积及氧吸附与解吸附等原因引起。
关键词：ZnO;纳米线阵列;真空压强传感器;氧吸附与解吸附;
