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Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

来源期刊:稀有金属1998年第1期

论文作者:方锋 吴志强 周旗钢 张果虎 常青

关键词:Φ200; mm硅单晶; 无位错; 热场; 工艺参数; 系统操作参数表;

摘    要:在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.

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Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

方锋1,吴志强1,周旗钢1,张果虎1,常青1

(1.北京有色金属研究总院,北京100088)

摘要:在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.

关键词:Φ200; mm硅单晶; 无位错; 热场; 工艺参数; 系统操作参数表;

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