多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究
来源期刊：材料工程2009年第4期
论文作者：李东海 孙鹏 孙凤云 陈鹏 胡明
关键词：NO2气体传感器; 多孔硅; 灵敏度; 孔隙率;
摘 要：以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.
李东海1，孙鹏1，孙凤云1，陈鹏1，胡明1
(1.天津大学,电子信息工程学院,天津,300072)
摘要:以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.
关键词:NO2气体传感器; 多孔硅; 灵敏度; 孔隙率;
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