MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜
来源期刊：功能材料2010年第4期
论文作者：杨培志 邓书康 涂洁磊 廖华 申兰先 牛智川 郝瑞亭 徐应强
关键词：GaSb; GaAs; 分子束外延(MBE);
摘 要：利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.
杨培志1，邓书康1，涂洁磊1，廖华1，申兰先1，牛智川2，郝瑞亭1，徐应强2
(1.云南师范大学,太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南,昆明,650092;
2.中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083)
摘要:利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好.
关键词:GaSb; GaAs; 分子束外延(MBE);
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