半导体硅生长工艺的发展动向
来源期刊:中国有色冶金1985年第9期
论文作者:毕桂玲
文章页码:32 - 38
摘 要:<正> 在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论。
张伟或
峨眉半导体材料研究所
摘 要:<正> 在半导体硅生长工艺方面,除常规的直拉法(CZ)和区熔法(FZ)外,近年又出现了磁场直拉法(MCZ),中子嬗变掺杂法(NTD)和连续送液直拉法(CLF—CZ)等一些新方法。对这些方法最近的发展动向,本文将分别加以讨论。
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