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低相变场细电滞回线(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的研究

来源期刊:功能材料2010年第3期

论文作者:魏坤 杨同青 姚熹 郑琼娜

关键词:PZST; 反铁电; 电致应变; 场诱相变; PZST; antiferroelectrics; strain; field-induce phase transition;

摘    要:对远离反铁电-铁电准同型相界的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电组分进行Ba~(2+)掺杂,制备出了细电滞回线、低相变电场的反铁电陶瓷,反铁电-铁电相变电场仅为1.5kV/mm,电场回滞减小到0.2kV/mm,并且极化强度和应变量随电场增大几乎呈线性变化,可通过调节电场大小得到不同的应变量,有利于开辟这类材料新的应用领域.

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低相变场细电滞回线(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电陶瓷的研究

魏坤1,杨同青1,姚熹1,郑琼娜1

(1.同济大学,功能材料研究所,上海,200092)

摘要:对远离反铁电-铁电准同型相界的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电组分进行Ba~(2+)掺杂,制备出了细电滞回线、低相变电场的反铁电陶瓷,反铁电-铁电相变电场仅为1.5kV/mm,电场回滞减小到0.2kV/mm,并且极化强度和应变量随电场增大几乎呈线性变化,可通过调节电场大小得到不同的应变量,有利于开辟这类材料新的应用领域.

关键词:PZST; 反铁电; 电致应变; 场诱相变; PZST; antiferroelectrics; strain; field-induce phase transition;

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