纳瓦级低功耗CMOS基准源研究与实现
来源期刊：北方工业大学学报2016年第3期
论文作者：张家军 赵雅静
文章页码：30 - 86
关键词：低功耗;带隙基准;亚阈值;
摘 要：工作在亚阈值区的2个MOS管栅压差值与温度成正比,基于这一理论,本文设计了一种纳瓦级功耗的带隙基准源电路.整体电路包括启动电路,一个纳安级电流源电路,一只双极晶体管和一个与绝对温度成正比(PTAT)的电压发生器.与传统CMOS带隙基准源相比,本文采用的结构具有更低的功耗.电路性能基于SMIC 0.18μm混合CMOS工艺仿真验证,结果显示此电路在1.8V电压下工作时,整体功耗120nW.
张家军，赵雅静
北方工业大学电子信息工程学院
摘 要：工作在亚阈值区的2个MOS管栅压差值与温度成正比,基于这一理论,本文设计了一种纳瓦级功耗的带隙基准源电路.整体电路包括启动电路,一个纳安级电流源电路,一只双极晶体管和一个与绝对温度成正比(PTAT)的电压发生器.与传统CMOS带隙基准源相比,本文采用的结构具有更低的功耗.电路性能基于SMIC 0.18μm混合CMOS工艺仿真验证,结果显示此电路在1.8V电压下工作时,整体功耗120nW.
关键词：低功耗;带隙基准;亚阈值;
