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MEMS薄膜磁通门传感器的制作与特性

来源期刊:磁性材料及器件2012年第1期

论文作者:杨晓虎 周勇 雷冲

文章页码:41 - 99

关键词:MEMS技术;平面磁通门传感器;弱磁场检测;软磁材料;

摘    要:首先论述了微型平面磁通门传感器的原理和结构,在此基础上,详细介绍了基于微机电机械加工技术(MEMS)的集成磁通门传感器探头的制作过程(包括溅射、电镀、光刻、反应离子刻蚀(RIE)等)。分别采用高磁导率、低矫顽力的Co基非晶合金带材以及坡莫合金作为磁心制成磁通门探头。测试结果表明,在40kHz激励频率下,带材磁心探头的工作范围为±75μT,而坡莫合金磁心探头为±60μT,灵敏度分别为31.07V/T和23.76V/T。结果基本可以满足地磁场±60μT的测量要求。

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MEMS薄膜磁通门传感器的制作与特性

杨晓虎,周勇,雷冲

上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室

摘 要:首先论述了微型平面磁通门传感器的原理和结构,在此基础上,详细介绍了基于微机电机械加工技术(MEMS)的集成磁通门传感器探头的制作过程(包括溅射、电镀、光刻、反应离子刻蚀(RIE)等)。分别采用高磁导率、低矫顽力的Co基非晶合金带材以及坡莫合金作为磁心制成磁通门探头。测试结果表明,在40kHz激励频率下,带材磁心探头的工作范围为±75μT,而坡莫合金磁心探头为±60μT,灵敏度分别为31.07V/T和23.76V/T。结果基本可以满足地磁场±60μT的测量要求。

关键词:MEMS技术;平面磁通门传感器;弱磁场检测;软磁材料;

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