聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第1期
论文作者：陈朝辉 马青松
关键词：Si-O-C陶瓷; 电阻率; 聚硅氧烷; 填料; 先驱体裂解;
摘 要：由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220 Ω·cm.在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷.制备温度对材料电阻率有很大的影响.
陈朝辉1，马青松1
(1.国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073)
摘要:由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220 Ω·cm.在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷.制备温度对材料电阻率有很大的影响.
关键词:Si-O-C陶瓷; 电阻率; 聚硅氧烷; 填料; 先驱体裂解;
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