硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析
来源期刊：有色金属工程2004年第3期
论文作者：李宏煦 王淀佐
文章页码：35 - 85
关键词：冶金物理化学;硫化矿;半导体溶液界面;浸出;氧化机理;电化学;
摘 要：许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 ,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理
李宏煦，王淀佐
摘 要：许多硫化矿物为半导体 ,硫化矿氧化浸出过程实际是一半导体 溶液界面电子或空穴转移的过程。基于传统的半导体界面氧化理论 ,系统分析细菌存在时硫化矿 溶液界面电子或空穴转移步骤 ,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体 溶液界面电子及空穴转移模型 ,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理
关键词：冶金物理化学;硫化矿;半导体溶液界面;浸出;氧化机理;电化学;
