热处理温度对VO2薄膜结构和相变性能的影响
来源期刊:稀有金属材料与工程2013年第S2期
论文作者:张玉波 黄婉霞 宋林伟 徐元杰 赵冬 吴静 李丹霞
文章页码:525 - 528
关键词:VO2薄膜;双氧水;退火温度;相变性能;
摘 要:以H2O2和V2O5为前驱物,利用H2O2和V2O5特殊化学作用制备V溶胶,而后在云母基底上成膜,经不同热处理温度(450~570℃)退火还原得到VO2薄膜。利用SEM、XRD、XPS分析薄膜表面形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下红外透过率,确定薄膜的相变温度及滞后温宽。实验表明,双氧水法制备的VO2薄膜红外屏蔽效率高,且高温透过率仅为2%左右。热处理温度对VO2薄膜表面形貌、微观结构及相变特性均产生影响。510℃热处理退火可得到生长致密、粒径分布均匀、相变温度低、滞后温宽较小的VO2薄膜。
张玉波1,2,黄婉霞1,宋林伟1,徐元杰1,赵冬1,吴静1,李丹霞1
1. 四川大学2. 四川工程职业技术学院
摘 要:以H2O2和V2O5为前驱物,利用H2O2和V2O5特殊化学作用制备V溶胶,而后在云母基底上成膜,经不同热处理温度(450~570℃)退火还原得到VO2薄膜。利用SEM、XRD、XPS分析薄膜表面形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下红外透过率,确定薄膜的相变温度及滞后温宽。实验表明,双氧水法制备的VO2薄膜红外屏蔽效率高,且高温透过率仅为2%左右。热处理温度对VO2薄膜表面形貌、微观结构及相变特性均产生影响。510℃热处理退火可得到生长致密、粒径分布均匀、相变温度低、滞后温宽较小的VO2薄膜。
关键词:VO2薄膜;双氧水;退火温度;相变性能;