掺Gd-CdTe薄膜的XPS研究

来源期刊：稀土2012年第5期

论文作者：安晓晖 李蓉萍 田磊 何志刚 吴蓉 李忠贤

文章页码：27 - 31

关键词：真空蒸发;掺Gd-CdTe薄膜;XPS;成分;

摘    要：应用双源法真空蒸发制备掺Gd的CdTe薄膜,并借助XPS对其进行组份分析。实验表明,Gd掺杂的CdTe薄膜的组分为Cd、Te、O、C、Gd等元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面;Cd、Te元素的存在方式为CdTe化合物及其氧化物形式;而Gd元素由于碳污染的原因在其表面未曾出现,只在刻蚀过程中出现;深度剥蚀分析表明在样品内部Cd元素的含量大于Te元素的含量,且接近于1∶0.8,趋于稳定。