真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究
来源期刊：东北大学学报(自然科学版)1983年第4期
论文作者：樊占国 梁连科
文章页码：45 - 192
摘 要：在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元（O2,SiO等）亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10-2托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。
樊占国，梁连科
东北工学院冶金物化教研室东北工学院特冶教研室
摘 要：在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元（O2,SiO等）亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10-2托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。
关键词：
