退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响

来源期刊：材料导报2010年第16期

论文作者：张伟英 刘振中 赵建果 傅竹西

文章页码：94 - 199

关键词：ZnO/Si异质结;退火温度;光伏效应;

摘    要：采用直流反应溅射法在P-Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性。研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质结的开路电压和短路电流,进而增大异质结的光电转换效率,经400℃退火后异质结获得最佳的转换效率。当退火温度达到或超过500℃时,异质结的反向电流迅速增加,光生电压和光生电流大幅度减小。通过对ZnO薄膜结构和电学性质的测量和分析,推测异质结的光电转换特性改变主要受ZnO薄膜的电学性质影响。